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AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB

CARACTERÍSTICAS

Factor de forma: M.2 2280
Interfaz: PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.3
Capacidad total: 500 GB *
Velocidad de lectura secuencial: hasta 5000 MB / s **
Velocidad de escritura secuencial: hasta 2500 MB / s **
Nivelación de desgaste, tecnologías de exceso de aprovisionamiento
TRIM y SMART compatible
Esparcidor de calor de cobre de cuerpo completo

El primer controlador PCIe 4.0×4 del mundo
El primer controlador PCIe 4.0×4 del mundo, controlador Phison PS5016-E16, fabricado con tecnología de fabricación de 28 nm. El avanzado proceso de fabricación garantiza que PS5016-E16 tenga suficiente potencia de procesamiento para el procesamiento ECC al adoptar el último flash 3D TLC NAND. PS5016-E16 también presenta ocho canales NAND con 32 objetivos CE, almacenamiento en caché DDR4 DRAM y una interfaz PCIe 4.0×4. En cuanto a las características, el chip admite el protocolo NVMe 1.3, la corrección de errores LDPC y las tecnologías de nivelación de desgaste y sobreaprovisionamiento para mejorar la confiabilidad y durabilidad de los SSD.

NAND Flash seleccionado para alta calidad y rendimiento
TOSHIBA BiCS4 96 capas 3D TLC (800MT / s)
Toshiba BiCS4 NAND Flash optimiza los circuitos y la arquitectura al aumentar a 96 capas para un mayor espacio de almacenamiento por unidad de área. El rendimiento de 800MT / s en el SSD AORUS NVMe Gen 4 supera con creces el de los dispositivos PCIe 3.0×4 para un rendimiento de almacenamiento superior.

Rendimiento de almacenamiento Xtreme
Con el nuevo controlador PCIe 4.0, el SSD AORUS NVMe Gen 4 ofrece velocidades increíbles: hasta 5,000 MB / s para lectura secuencial y hasta 2,500MB / s de escritura secuencial. El rendimiento de lectura secuencial de las SSD PCIe 4.0 es hasta un 40% más rápido que las SSD PCIe 3.0. Prepárese para ingresar a la próxima generación de computación con una representación más rápida y fluida, juegos, transmisión y gráficos intensivos.

Solución térmica de cobre de cuerpo completo para un excelente rendimiento de SSD PCIe 4.0
El disipador de calor de cobre de cuerpo completo tiene en cuenta la transferencia de calor de los componentes clave en la parte frontal y posterior del dispositivo, el controlador y NAND Flash. Los disipadores térmicos de cobre completos tienen un 69% más de capacidad de transferencia de calor en comparación con los disipadores térmicos de aluminio, lo que le da a AORUS NVMe Gen4 SSD la mejor disipación de calor para el rendimiento de lectura / escritura.

Diseño eficiente del difusor de calor de cobre
En comparación con un difusor térmico M.2 plateado, los nuevos difusores térmicos de cobre eficientes con 27 aletas añaden más área de superficie que mejora la transferencia térmica de las fuentes de calefacción para obtener un equilibrio térmico antes. Además, el diseño optimizado de la matriz de aletas hace un gran intercambio de calor con cualquier dirección del flujo de aire. Ambos diseños únicos aseguran que los componentes clave de la SSD PCIe 4.0 mantengan una temperatura de trabajo adecuada bajo una tasa de transferencia ultra alta.

¿Por qué es tan importante mantener un SSD a temperaturas más bajas?
Una temperatura de trabajo más alta puede causar pérdida de datos. El factor de degradación de la pérdida de datos podría ser cien veces mayor.
Con los disipadores de calor de cobre de cuerpo completo, el SSD AORUS NVMe Gen 4 puede funcionar a temperaturas de trabajo más bajas para mejorar la confiabilidad del almacenamiento de datos. Además, los SSD pueden ofrecer un rendimiento extremo durante períodos más largos.

Caja de herramientas SSD
La SSD Tool Box recientemente actualizada es un software que brinda a los usuarios una descripción general del estado de SSD y varios aspectos, como el nombre del modelo, la versión FW, el estado de salud y la temperatura del sensor. Además, los usuarios pueden borrar todos los datos con la función de borrado seguro. Puede descargar la Caja de herramientas SSD desde el enlace.

ESPECIFICACIONES

Interfaz: PCI-Express 4.0×4, NVMe 1.3
Factor de forma: M.2 2280
Capacidad total: 500GB
NAND: TLC 3D Toshiba BiCS4
Caché DDR externa: DDR4 512MB
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 5000 MB / s
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 2500 MB / s
IOPS de lectura aleatoria: hasta 400k
Escritura aleatoria IOPS: hasta 550k
Dimensión: 80,5 x 11,4 x 23,5 mm
Tiempo medio entre fallas (MTBF): 1.77 millones de horas
Consumo de energía (activo): Promedio: R: 5.9W; W: 4.5W
Consumo de energía (inactivo): 13,21 mW
Temperatura (en funcionamiento): 0 ° C a 70 ° C
Temperatura (almacenamiento): -40 ° C a 85 ° C

 

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